Разъяснения по данным транзистора

1. Данные транзистора, требующие определения, согласно номеру варианта.

IS – обратный ток коллекторного перехода

Германий Ge – 1е-12 А

Кремний Si – 1е-09 А

BF – коэффициент усиления в прямом направлении → В

EG – энергия активации

Германий Ge – 0.7 эВ

Кремний Si – 1.11 эВ

VJE , VJC , VJS – потенциал поля перехода и контактная разность потенциалов база-эмиттер, база-коллектор и коллектор-подложка

→ 2/3 от EG

CJE , CJC – ёмкость эмиттерного, коллекторного перехода  → Сбэ, Сбк

TF – время переноса заряда → 1/2πFα