Разъяснения по данным транзистора
Для внесения изменений в spice-model.
1. Данные транзистора, требующие определения, согласно номеру варианта.
IS – обратный ток коллекторного перехода
Германий Ge – 1е-12 А
Кремний Si – 1е-09 А
BF – коэффициент усиления в прямом направлении → В
EG – энергия активации
Германий Ge – 0.7 эВ
Кремний Si – 1.11 эВ
VJE , VJC , VJS – потенциал поля перехода и контактная разность потенциалов база-эмиттер, база-коллектор и коллектор-подложка
→ 2/3 от EG
CJE , CJC – ёмкость эмиттерного, коллекторного перехода → Сбэ, Сбк
TF – время переноса заряда → 1/2πFα