Электроника лабораторный практикум

Схема, представленная на рисунке 4, позволяет исследовать статические состояния ключа и переходные процессы в нём. В первом случае в цепь базы подаётся низкий уровень напряжения от источника Е_вх с сопротивлением в его цепи Rб . Также в цепи базы присутствует цепь смещения для тонкого регулирования процессом.  Для измерения постоянных токов и напряжений в цепях ключа используются мультиметры.  При измерении статического коэффициента усиления по току В  нужно менять номинал сопротивления цепи коллектора R_к  от 5 Ом до 5 кОм.

              Рис. 4   Схема для исследования статических состояний транзисторного ключа.

При  исследовании  переходных  процессов  на  вход  схемы  вместо  источника  постоянной ЭДС подключён  генератор прямоугольных импульсов на частоте 1 kHz. Уровень напряжения импульса сигнала меняется от 5 до 15 вольт.